Счастливым обладателям Apple посвящается... JailBreak 9.0.2 iOS 9.3.3 beta 1iTunes 12.4OS X 10.11.6 beta 1 El Capitan
Владеешь техникой Apple? Зависаешь в соц. сетях?
Узнавай первым новости о любимой компании. Будь в
курсе обновлений, выпущенных сегодня. Это удобно. Подпишись на сообщество ApplePosts прямо сейчас.
Регистрируйся в один клик
Самые новые
версии ПО
iPhone iPad Скачать iOS beta
Новости Советы Ответы Комментарии Русский AppStore (beta)
Войдите
+Задать вопрос
Не нашли решение? Спроси сейчас, получи ответ в течении 6 минут
Возник вопрос по настройке техники Apple?

08 Апреля 2016 в 18:08  261 0
Опубликовал: Nikk666
В России разработают революционную память нового типа – гибрид ОЗУ, винчестера и флешки
В России разработают революционную память нового типа – гибрид ОЗУ, винчестера и флешки
Ученые Московского физико-технического института (МФТИ) разработали революционную технологию создания памяти: устройства на ее базе будут обладать вместительностью винчестера, энергонезависимостью флешки и быстротой оперативной памяти. Основой станут сверхтонкие (2,5 нанометра) сегнетоэлектрические пленки на основе оксида гафния.

«Поскольку структуры из этого материала совместимы с кремниевой технологией, можно рассчитывать, что в ближайшем будущем непосредственно на кремнии могут быть созданы новые устройства энергонезависимой памяти с использованием сегнетоэлектрических поликристаллических слоев оксида гафния», – приводит ТАСС слова ведущего автора исследования, заведующего лабораторией функциональных материалов и устройств для наноэлектроники МФТИ, Андрея Зенкевича.

Сейчас объем хранимой и обрабатываемой информации в мире удваивается каждые 1,5 года. Для работы с ней нужно все больше компьютерной памяти, прежде всего энергонезависимой – то есть такой, которая хранит информацию даже после отключения электропитания. Идеалом же была бы «универсальная» память, которая обладает быстротой оперативной памяти, вместимостью жесткого диска и знергонезависимостью флешки. Одним из самых перспективных подходов для создания такой технологии считают энергонезависимую память на сегнетоэлектрических туннельных переходах.

Сегнетоэлектрик – это вещество способное «запоминать» направление приложенного внешнего электрического поля. В принципе, они не проводят электрический ток, но при очень малых толщинах сегнетоэлектрического слоя электроны с некоторой вероятностью все же могут через него проходить, благодаря туннельному эффекту, имеющему квантовую природу. Таким образом, запись информации в памяти на основе сегнетоэлектрических пленок производится подачей напряжения на электроды, примыкающие к сверхтонкому сегнетоэлектрику, а считывание – измерением туннельного тока.

Такая память может обладать исключительно высокой плотностью, скоростью записи и считывания, а также низким энергопотреблением. Предполагается, что она станет энергонезависимой альтернативой для ОЗУ, в которой данные могут храниться без перезаписи только порядка 0,1 секунды.
Участвуй в холиваре: Что лучше - iOS или Android?
Читайте нас также в группах Вконтакте, Facebook, Google+ и в Twitter. Подписывайтесь на наш канал YouTube. Получайте свежую порцию новостей в удобном формате.
Понравилась новость? Расскажи друзьям
 
0
Читайте так же
Комментариев: 0
Оставьте свое мнение о публикации
avatar
Выберите категорию
Новости о продуктах Apple
Новости о других мировых компаниях



Последние советы
Как бесплатно отследить местоположение близкого человека с помощью iPhone или iPad

Как сделать джейлбрейк iOS 9 - 9.0.2 на iPhone и iPad с помощью Pangu9

Как скачать платные игры и приложения для iPhone или iPad бесплатно на высокой скорости

Как отменить автопродление подписки на примере Apple Music

Как сделать джейлбрейк iOS 8.4 с помощью TaiG на Mac


Смотреть все...





Читайте нас Вконтакте
Теги

Подписывайся на ApplePosts
Все права защищены. Copyright appleposts.ru © 2014
Допускается копирование материалов при наличии прямой индексируемой ссылки. Хостинг от uCoz